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NP80N04EHE, NP80N04KHE, NP80N04CHE, NP80N04DHE, NP80N04MHE, NP80N04NHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Pulsed
16
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000 Pulsed
100
V GS = 10 V
12
0V
8
4
V GS = 10 V
I D = 40 A
10
1
0
? 50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
C iss
t f
1000
C oss
C rss
100
t d(on)
t d(off)
t r
100
10
V DD = 20 V
R G = 1 Ω
10
0.1
1
10
100
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
80
16
V GS = 0 V
14
100
60
40
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
12
10
8
10
20
V DS
6
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
I D = 80 A
40
6
I F - Diode Forward Curren - A
Data Sheet D14239EJ7V0DS
Q G - Gate Charge - nC
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